Светодиоды на органических материалах с фосфоресценцией в качестве высокоэффективных источников белого света. High-effi ciency white phosphorescent OLEDs for lighting.: Докл. [7 Conference on Organic Light-Emitting Materials and Devices, San Diego, Calif., 4–6 Aug., 2003] /Tung Yeh-Jiun, Lu Michael M.-H., Weaver Michael S., Hack Michael, Brown Julie J.//Proc. SPIE.-2004.-т.5214,.-с. 114–123, (Англ.).
Светодиоды (СД) на органических материалах рассматриваются как перспективное следующее поколение источников белого света. Считается, что использующие технологию фосфоресценции СД на органических материалах с присущей ей высокой эффективностью излучения представляют возможность удовлетворения требованиям, предъявляемым к источникам света. Рассмотрена система таких требований и современное состояние производства СД с фосфоресценцией, являющихся источниками белого света. Эффективность светимости таких СД превышает 30 кд/А для излучения с цветовыми координатами (0,35, 0,33) МКО. В системах СД с фосфоресценцией на основе комплексов тяжелых металлов все экситонные состояния могут быть преобразованы в триплетные состояния в результате межсистемных переходов, использующих присутствие атомов тяжелых металлов. Эти триплетные состояния испускают излучение, обеспечивающее рекордно высокую эффективность преобразования. Разработано семейство таких СД с фосфоресценцией на органических материалах с высокой эффективностью и большим сроком службы, применимых для использования в дисплеях, формирующих полноцветные изображения. При этом замена флуоресцирующих материалов на фосфоресцентные в таких СД ведет к значительному (на 40-50%) сокращению расхода энергии источника питания. Ил. 13, Табл. 1. Светоизлучающий диод. Led cross-linkable phosphor coating.: Пат. 6890234 США, МКИ H 01 J 63/04, H 01 L 33/00 /; General Electric Co..- Заявл. 2004.03.05 Опубл. 2005.05.10 НКИ 445/25, (Англ.).
Светоизлучающий диод излучает ближнее УФ излучение и голубой свет. Слой люминофора в этом светодиоде преобразует часть светового излучения в более длинноволновое с желтым цветом свечения. Толщина светоизлучающего слоя изменяется в зависимости от интенсивности излучения. Схематично показано устройство для питания светодиода от источника пост. тока. Приведен химический состав слоев светодиода. Ил. 9. Библ. 16. Способ изготовления светодиодов. Verfahren zum Herstellen eines Elektrolumineszenz-Leuchtmoduls, Verwendung des Verfahrens und Innenraumverkleidungselement.: Заявка 10347987 276 Германия, МКИ H 05 B 33/02, F 21 S 8/10 /Maryschka Michael, Mestan Reinhard; Siemens AG.- № 10347987.2; Заявл. 2003.10.15 Опубл. 2005.06.02. (Нем.)
Предложен способ изготовления светодиодов и светодиодных модулей. Микросхемы электропитания светодиодов. /Давиденко Ю.//Соврем. электрон..-2004.-N 2.-с. 32–39
Описаны способы питания светодиодов от низковольтных хим. источников тока. Дана информация о специализированных микросхемах, предназначенных для питания светодиодов, и схемы их типового включения. Ил. 4, Табл. 6. Высокоэффективные современные светодиоды. /Давиденко Ю.//Chip News Украина.-2004.-N 8.-с. 80–89.
Отмечено стремительное развитие области техники, основанной на физике полупроводников – оптоэлектронике. Это проявилось в совершенствовании светодиодов – твердотельных высокоэффективных ПП-источников света. Светодиоды большой мощности с боковым излучением и их применение для освещения. Side emitting high power LED's and their application in illumination.: Докл. [2 Conference on «Solid State Lighting», Seattle, Wash., 9–11 July, 2002] /West Robert Scott//Proc. SPIE.-2002.-т.4776,.-с. 171–175, (Англ.).
Прогресс в области светодиодов большой мощности и быстрое увеличение их световых потоков приводит к захвату ими растущего рынка источников света. В настоящее время световой поток белых светодиодов превышает 100 лм и лишь на один порядок отстает от световых потоков (клм) светотехнических изделий, используемых для освещения. Формирование светового потока «годного к употреблению» зависит от оптической системы светодиода, что открывает новые рыночные возможности. Рассмотрена работа оптических систем, состоящих из отражателя с фокусным расстоянием порядка 10 мм и световода толщ. 3–4 мм. При отражателе диам. 40 мм (фокусное расстояние 5 мм) достигается сила света 550 кд. Светораспределение получается аналогичным как при использовании светодиода с боковым излучением Luxeon мощностью 5 Вт, так и при ЛН мощностью 10 Вт. Ил. 8, Табл. 3. Белый светодиод. Light emitting device.: Пат. 6891203 США, МКИ H 01 L 29/24 /; Toyoda Gosei Co..- N 10/250772; Заявл. 2002.01.04 Опубл. 2005.05.10 Приоритет 2001.01.10 N P2001–003104 () НКИ 257/102. (Англ.)
Светоизлучающий диод формируется из двух различных по составу нитридных слоев AlGaInN, излучающих в ультрафиолетовой и видимой областях спектра. Свечение люминофора, возбуждаемого УФ-излучением, и видимый свет одного из нитридных слоев при смешении создают белый свет. Ил. 4. Анализ рабочего диапазона светодиодов. /Li Jin-zong, Wei Xiang-quan, Chen Feng, Li Dong-dong//Hongwai yu jiguang gongcheng.-2004.-т.33, N 2.-с. 142–144.
Светодиоды (СД) имеют много преимуществ: малый объем и вес, низкое энергопотребление, высокая долговечность и надежность. СД могут использоваться в осветительных и светосигнальных устройствах, а также в дисплейных экранах для управления движением и автоматизации производства. Предложена формула для рабочего диапазона СД. Ил. 2, Табл. 1. Библ. 8. Обеспечение теплового режима мощных светодиодных ламп при разработке светотехнических устройств. / Полищук А.//Соврем. электрон..-2006.-N 3.-с. 52–56
Рассмотрены вопросы обеспечения теплового режима твердотельных источников света. Приведена методика тепловых расчетов с практическими примерами и экспериментальными результатами. Особое внимание уделено проблеме минимизации теплового сопротивления при использовании различных материалов печатных плат. Ил. 8. Метод анализа параметров процесса абсорбции в СД-структурах типа «InGaN на сапфире». Absorption in InGaNon-sapphire LED-structures: comparison between photocurrent measurement method (PMM) and photothermal defl ection spectroscopy (PDS). /Schad S. S., Neubert B., Bruning J., Eichler C., Habel F., Scholz F., Unger P., Hofstetter D.//Proc. SPIE.-2004.-т.5366,.-с. 109–117
Метод анализа параметров процесса абсорбции в СД-структурах типа «InGaN на сапфире» основан на фототермической спектроскопии в режиме отклонения лучей и в режиме просвечивания. Рассмотрены примеры измерения абсорбции в тонком слое в непосредственной близости от сапфировой подложки. Разработана оптическая система измерения. Распределение светодиодных излучателей в горизонтальной плоскости определяется методом измерения фототоков. Разработана новая модель для теоретич. анализа микроэлектронных полупроводниковых структур. Ил. 10. Исследование влияния нейтронного и гаммаоблучения на электрические характеристики и силу света (Al [x]Ga [1-x]) [0,5]In [0,5]P гетероструктур с красным и желтым цветом свечения. /Рыжиков И.В., Селезнев Д.В., Щербаков В.Н., Туркин А.Н.//Технол. приборостр..-2005.-N 4.-с. 11–22
Проведены комплексные исследования влияния нейтронного и гамма-облучения на электрические и световые характеристики (Al [x]Ga [1-x]) [0,5]In [0,5]P гетероструктур с красным и желтым цветом свечения. Полученные результаты проанализированы на основе математической модели, учитывающей наличие квантовых ям в комплексном слое, а также режимы высокого уровня инжекции и деградации времени жизни в этом слое под влиянием облучения. Ил. 11. Органические СД находят свой путь на рынок. OLED market fi nding its way. //Photon. Spectra.-2006.-т.40, N 1.-с. 86
Приведен полугодовой отчет компании iSuppli Corp. of El Segundo, California о складывающейся ситуации на рынке производства органических СД для дисплеев различного назначения. Отмечается, что достижения в области повышения параметров СД и матриц на их основе обусловлены применением новых методов (напр. таких как вывод излучения через верхнюю поверхность, введение в структуру дополнительных блокирующих слоев и производство и применение цветных фильтров). Указывается, что основное внимание производителей уделяется активным матрицам, хотя ряд компаний провели большие инвестиционные вложения в разработку и производства пассивных матриц на органических СД. Основным параметром органических СД, привлекающим внимание производителей, является срок службы, который в настоящее время составляет от 500 ч до 15 000 ч и определяется как время снижения яркости в 2 раза относительно первоначальной. Доклад содержит оценку перспектив тенденций развития производства органических СД и дисплеев на их основе. Ожидается, что по сравнению с 2003 г., когда объем поставок таких СД составлял 250 мил. дол. (для пассивных матриц), этот объем вырастает к 2011 году до 3,3 млрд. дол. (для пассивных и активных СД) матриц. Методы СД-метрологии на основе голубых и красных СД. LED metrology keeps pace with application demands. / Attenberger Thomas//Photon. Spectra.-2005.-т.39, N 5.-с. 54, 56
Рассмотрены методы СД-метрологии на основе голубых и красных СД. Описаны новые модели систем измерения на основе ЖК-дисплеев с функциями передачи данных, которые предназначены для прецизионных измерений. Преимущества таких систем – миниатюрность. Рассмотрены спектральные характеристики. Разработаны методы изготовления кремниевых светодиодов с цветными фильтрами. Ил. 1. Полноцветные пиксели с вертикальным пакетом индивидуальных красных, зеленых и голубых прозрачных органических светоизлучающих приборов на основе красителя, рассеянного в поливинилкарбазоле. Full color pixel with vertical stack of individual red, green, and blue transparent organic light-emitting devices based on dye-dispersed poly (N-vinylcarbazole). /Uchida Takayuki, Ichihara Masahiro, Tamura Tohru, Ohtsuka Masao, Otomo Toshio, Nagata Yujiro//Jap. J. Appl. Phys. Pt 1.-2006.-т.45, N 9 A.-с. 7126–7128
Изготовлен органический светоизлучающий прибор с прозрачными электродами, излучающий красный, зеленый или голубой свет за счет выбора соответствующего светоизлучающего материала для каждого цвета. Прозрачность прибора обеспечивает возможность изготовления полноцветного дисплея путем собрания в стопу таких прозрачных красных, зеленых и голубых приборов. В таком дисплее три цвета излучаются различными пикселями, каждый из которых контролирует индивидуальную эмиссию света. В разработанном дисплее были получены координаты цветности (0,31 и 0,33) во время одновременного включения всех приборов. Средний индекс цветопередачи равен 87,8. Ил. 7, Табл. 1. Изготовление светодиодов на основе фотонных кристаллов методом наношаблонной литографии. Fabrication of photonic crystal structures on light emitting diodes by nanoimprint lithography. /Kim Sang Hoon, Lee Ki-Dong, Kim Ja-Yeon, Kwon Min-Ki, Park Seong-Ju//Nanotechnology.-2007.-т.18, N 5.-с. 055306/1–055306/5.
Структура зеленых СД на основе фотонных кристаллов успешно изготовлена с использованием наношаблонной литографии. Штамп с двуразмерной столбчатой структурой изготовлен лазерной интерференционной литографией методом двойного экспонирования. Для получения структуры фотонного кристалла с определенными размерами была использована термообработка фоторезиста, применяемого во время изготовления штампа. Это обеспечивает возможность эффективного контроля диаметра и формы отверстия. Двуразмерная структура фотонного кристалла с периодом 295 нм, диаметром 180 нм и глубиной 100 нм зеленого СД показывает улучшение интенсивности фотолюминесценции по сравнению с такими же СД без фотонных кристаллов. Методы температурных расчётов и управления тепловым режимом мощных светодиодов, изготовленных по технологии SMD. Thermisches Management fur SMDHochleistungs-Leuchtdioden. Mahlkow Adrian. Licht. 2006. 58, № 6, с. 624–632 (Нем.)
Серия светодиодов (СД) «ОНХ-6 Х…» фирмы OSA Opto Light (Берлин), изготавливаемых по технологии плоскостного монтажа (SMD – Surface Mounting Device) является самой миниатюрной в классе СД мощностью 1 Вт. Приведено описание конструкции чипа (Ч) – светоизлучающего кристалла (К) на подложке: размер основания Ч у СД «ОНХ-6 Х…» составляет 1000 мкм. Рассмотрены особенности СД, позволившие добиться оптимального теплового режима Ч, обеспечив большой срок службы и высокую световую отдачу белых СД (до 35 лм/Вт). Габариты СД «ОНХ-6 Х…» –2,9 х 3,3 мм2, высота 1,4 мм (с линзой –2,9 мм). Дана методика расчета характеристик теплоотвода за счет излучения, конвекции и теплопроводности, а также теплового сопротивления различных элементов конструкции Ч (2-12 K/Вт). Приведены допустимые температуры (t) макс. нагрева активной зоны («р-n»-перехода) у К различных СД, которые позволяют оптимизировать световые и тепловые характеристики Ч. Для СД, излучающих в ИК-диапазоне и в видимой части спектра с λ от 700 до 570 нм (красные, оранжевые, желтые и зелёные излучения) на базе AlInGaP/AlGaAs tмакс в активной зоне не должна превышать 85°C; для СД на базе InGaN (λ = 410–540 нм) – tмакс < 65°C. У СД серии «ОНХ-6 Х…» тепловое сопротивление между активной зоной и подложкой снижено до 2-3 K/Вт. Ил. 17, Табл. 4. Органический светодиод, имеющий повышенную электролюминесценцию и квантовую эффективность. Oleds having increased external electroluminescence quantum effi ciencies: Пат. 7012363 США, МПК7 Н 05 В 33/00. Universal Display Corp., Weaver Michael Stuart, Bulovic Vladimir, Lu Min-Hao Michael. Заявл. 10.01.2002; Опубл. 14.03.2006; НПК 313/504. (Англ.)
Патентуется органический светодиод, имеющий повышенную электро-люминесценцию и квантовую эффективность. Он обладает также повышенной устойчивостью против воздействия влаги и кислорода. Светодиод имеет анодный слой, активный слой, нанесённый на подложку, катодный слой, светоизлучающий и полимерный слой. Ил. 5. Библ. 52. Устройство питания светодиодов. Schaltungsanordnung zum Betrieb von Leuchtdioden: Заявка 102004020583 Германия, МПК7 Н 05 В 37/02. Patent- Treuhand-Ges. fur elektrische Gluhlampen mbH, Fleck Norbert № 102004020583.3; Заявл. 27.04.2004; Опубл. 17.11.2005 (Нем.)
Предложен импульсный стабилизатор напряжения для питания светодиодов. Стабилизатор содержит ключ со схемой управления, дроссель, диод и конденсатор. Ил. 1. Библ. 7. Материалы и структуры для повышения совершенства органических светодиодов. Materials and structures for enhancing the performance of organic light emitting devices: Пат. 7018723 США, МПК7 Н 05 В 33/12. The Univ. of Southern California, Univ. Display Corp., Thompson Mark E., Kwong Raymond, Tung Yeh-Jiun. № 10/626579: Заявл. 25.07.2003; Опубл. 28.03.2006; НПК 428/690 (Англ.)
Устройство имеет анод, катод и первый органический слой, расположенный между ними. Первый органический слой содержит материал, который люминесцирует, когда напряжение прикладывается между анодом и катодом. Второй органический слой, расположенный между первым органическим слоем и катодом, находится в прямом контакте с первым органическим слоем. Второй органической слой может включать ароматический углеводород, содержащий ядро ароматического углеводорода, произвольно замененное, причем заместители состоят из алкила, арила, гетероалкила и др. Второй органический слой может включать материал, имеющий момент диполя меньше чем 2.0 Дебая, так что устройство имеет внешнюю квантовую эффективность приблизительно 3% и срок службы около 1000 ч при начальной яркости от 100 до 1000 кд/м2. Второй органический слой может находиться в прямом контакте с катодом, или может быть использован в качестве отдельного органического слоя между вторым органическим слоем и катодом. Ил. 3. Органические светодиоды. Schichtanordning fur eine organische lichtemittierende Diode: Заявка 102004022004 Германия, МПК7 Н 01 L 51/00. Novaled GmbH. Blochwitz-Nimoth Jan, Birnstock Jan. № 102004022004.2; Заявл. 03.05.2004; Опубл. 15.12.2005 (Нем.)
Эти светодиоды с поверхностным излучением света имеют нижний электрод (анод), верхний электрод (катод), прозрачный для света слой и органический слой. Всего светодиод может содержать до девяти слоев. Ил. 10. Библ. 5. Использование гадолиниево-желатиновых люминесцирующих материалов в органических светодиодах. Verwendung von Gadolinium (lll)-Chelaten als lumineszierende Materialien in organischen Leuchtdioden (OLEDs): Заявка 10360680 Германия, МПК7 Н 01 L 51/00, С 07 D 277/24. BASF AG, Vogler Arnd, Strasser Andreas. № 10360680.7: Заявл. 19.12.2003; Опубл. 14.07.2005 (Нем.)
Изобретение относится к использованию гадолиниевых комплексов в качестве излучающих материалов в органических светодиодах. Светодиоды, имеющие сульфоселеновые люминесцирующие добавки. Light emitting device having sulfoselenide fl uorescent phosphor: Пат. 6987353 США, МПК7 Н 01 В 33/20. Phosphortech Corp., Menkara Hisham, Summers Christopher. № 10/661931; Заявл. 15.09.2003; Опубл. 17.01.2006; НПК 313/503 (Англ.)
При изготовлении светодиодов используются новые люминофоры, излучающие белый свет. Люминофоры имеют следующую формулу: ZnSxSey: Cu7 A, где Х и Y имеют значения между нулём и единицей. А – это один из элементов группы Ag, А1, Се, Тb, С1, I, Mg, Сu и Мn, причём медь находится здесь в количествах от 0,0001% до 5%. Ил. 5, Табл. 2. Библ. 16. Перспективы развития светодиодных источников света. Терёшкин А. И., Дадонов В. Ф., Девятых Э.В., Есипов Д.А. 6 Международная светотехническая конференция, Калининград, Светлогорск 19–22 сент., 2006: Тезисы докладов. 2006, с. 47 (Рус.) Светодиод. Light-emitting diode: Заявка 1571717 ЕПВ, МПК7 Н 01 L 33/00. Agilent Technologies Inc. Takekuma Akira. № 05003836.3; Заявл. 23.02.2005; Опубл. 07.09.2005; Приор. 02.03.2004, № 2004057143 (Япония). (Англ.)
У светодиода имеется первый ввод с контактом, с которым соединён светоизлучающий элемент, и залитые в смолу первый и второй выводы. Зона в районе первого ввода достаточно широка, она имеет форму флажка. Ил. 2. Библ. 2. Органический светодиод, излучающий белый свет, имеющий слой, который излучает голубой свет, допированный слоем, транспортирующим электроны или электронные дырки. White light-emitting oled device having a blue light-emitting layer doped with an electron-transporting or a holetransporting material or both: Пат. 6967062 США, МПК7 Н 05 В 33/14. Eastman Kodak Co., Hatwar Tukaram K., Ricks Michele L., Winters Dustin, Spindler Jeffrey P. № 10/606446: Заявл. 26.06.2003; Опубл. 22.11.2005; НПК 428/690. (Англ.)
Органический светодиод, излучающий белый свет, имеет анод, слой, транспортирующий электронные дырки, наложенный поверх анода, и слой, излучающий голубой свет. Светодиод содержит электролюминесцентный слой, нанесённый на слой, излучающий голубой свет, и катод, нанесённый поверх слоя, излучающего голубой свет. Ил. 12, Табл. 6. Библ. 6. Высокоэффективный многоцветный электрофосфоресцирующий органический светодиод. High effi ciency multi-color electro-phosphorescent oleds: Пат. 7009338 США, МПК7 Н 05 В 33/14, Н 05 В 33/00. The Univ. of Southern California, The Trustees of Princeton Univ., Andrade Brian D., Thompson Mark E., Forrest Stephen R. № 10/144419; Заявл. 13.05.2002; Опубл. 07.03.2006; НПК 313/504. (Англ.)
Светодиод имеет присадки, содержащие фосфоресцирующие излучатели в тонких светоизлучающих слоях. Описан органический светоизлучающий прибор, содержащий несколько излучающих присадок. Ил. 17. Библ. 61. Способ изготовления светодиодов и устройство со светодиодами. Leuchtdiodenanordnung und Verfahren zum Herstellen einer Leuchtdiodenanordnung: Заявка 102004016847 Германия, МПК7 Н 01 L 33/00, Н 01 L 23/36. Р. М. С. Projekt Management Consult GmbH, Keth Ulrich G. № 102004016847.4: Заявл. 07.04.2004; Опубл. 22.12.2005. (Нем.)
Светодиод установлен в блоке, к которому подведено эл. питание. Долговечность светодиода и его мощность излучения повышены, благодаря использованию охлаждающего устройства с хорошим теплоотводом. Ил. 1. Библ. 5. Светодиод с уменьшающим отражение чередованием слоев. Lumineszenzdiode mit einer refl exionsmindernden Schichtenfolge: Заявка 102004040968 Германия, МПК8 Н 01 L 33/00. OSRAM Opto Semiconductors GmbH, Pietzonka Ines, Wirth Ralph, Schmid Wolfgang. № 102004040968.4; Заявл. 24.08.2004; Опубл. 23.03.2006. (Нем.)
В светодиоде с активной зоной, генерирующей свет по главному направлению луча, уменьшено отражение света за счет чередования слоев. Приведен рекомендуемый порядок расположения слоев. Ил. 5. Органические светодиоды, способ их изготовления и управление излучением. Organic light-emitting diodes and methods for assembly and emission control: Пат. 7094121 США, МПК8 Н 01 L 51/56, Н 01 L 51/50. Northwestern Univ., Marks Тоbin J., Wang Qingwu. № 10/610725: Заявл. 01.07.2003; Опубл. 22.08.2006; НПК 445/24 (Англ.)
Патентуется органический светодиод и способ его изготовления, при котором используется силоксановая технология. При напряжении 20 В плотность тока через светодиод достигает 0,03 А/см2, а яркость составляет 300 кд/м2. Ил. 3. Библ. 26. Светодиод. Light emitting diode: Пат. 7049740 США, МПК7 Н 05 В 33/02, F 21 V 3/04. Avago Technologies, Ltd, Takekuma Akira. № 10/909683; Заявл. 02.08.2004; Опубл. 23.05.2006; Приор. 09.10.2001, № 2001–311899 (Япония); НПК 313/501 (Англ.)
Патентуется светодиод, который прост в изготовлении. Светодиод имеет основание, склеивающий материал на соединительной поверхности и линзу для концентрации излучения от светодиода. Люминесцентный материал преобразует длину волны излучаемого света. Когда линза присоединяется к основанию, внутренняя вогнутая поверхность деформирует массу, которая может быть частично выдавлена наружу. Ил. 4. Библ. 22. Светодиод краснобурого свечения и способ его изготовления. Diode electroluminescente a puce retournee sans substrat, et procede de fabrication de celle-ci: Заявка 2885455 Франция, МПК7 Н 01 L 33/00. Chunghwa Picture Tubes, Ltd. Chen Chin Chung. № 0651612; Заявл. 04.05.2006; Опубл. 10.11.2006: Приор. 09.05.2005, № 94114854 (Тайвань). (Фр.) Новые светодиоды с экстремально высокой световой отдачей. Power-LED. DE: Elektro – und Gebaudetechn. 2007. 82, № 5, с. 74 (Нем.)
Фирма Cree Inc. (США) начала выпуск серии сверхъярких светодиодных модулей «XLamp-XR-E». Один из модулей серии имеет световую отдачу 85 лм/Вт (световой поток 95 лм при токе 350 мА и потребляемой мощности 1,12 Вт). При более высоких нагрузках, напр. при стабилизированном пост. токе 700 мА световой поток модуля может достигать 160 лм. В Германии светодиоды фирмы Cree Inc. продаёт VS Optoelectronic. Ил. 1. Органический светодиод, имеющий несущий блокирующий слой, содержащий металлический комплекс. Organic light emitting devices having carrier blocking layers comprising metal complexes: Пат. 7022421 США, МПК7 Н 05 В 33/12. The Univ. of Southern California, The Trustees of Princeton Univ., Thompson Mark E., Ren Xiaofan, Adamovich Vadim, Cordero Steven, D'Andrade Brian Wendell, Alleyne Bert, Forrest Stephen R. № 10/226674: Заявл. 23.08.2002; Опубл. 04.04.2006; НПК 428/690 (Англ.)
Светодиод имеет блокирующие слои, содержащие один или несколько металлич. комплексов. Эти слои могут служить для блокирования электронов и электронных дырок. Металлический комплекс подходит для выбора сравнительных энергетических уровней материалов. Светодиод излучает в диапазоне длин волн от 400 до 700 нм с максимумом интенсивности на длине волны 520 нм. Ил. 36. Библ. 56. Светодиод с оптической решеткой или микрооптическими элементами. Leuchtdiode mit optischem Gitter oder Mikrooptik: Заявка 102004014356 Германия, МПК7 Н 01 L 33/00, В 81 В 1/00. Schefenacker Vision Systems Germany GmbH & Co. KG. Luce Thomas. № 102004014356.0; Заявл. 24.03.2004; Опубл. 13.10.2005 (Нем.)
Светодиоды – это миниатюрные излучатели света. Описана технология изготовления светодиодов с установкой на них микрооптических элементов. Ил. 1. Органические электролюминесцентные светодиоды с увеличенной долговечностью. Organische elektrolumineszentes Bauelement mit erhohter Lebensdauer: Заявка 102004063134 Германия, МПК8 Н 01 L 51/54 (2006.01), С 09 D 5/32 (2006.01). Schott AC, Pommerehne Jorn, Bonrad Klaus, Ottermann Clemens, Frank Thomas, Bodesheim Marcus. № 102004063134.4: Заявл. 22.12.2004; Опубл. 06.07.2006 (Нем.)
С целью увеличения долговечности органических электролюминесцентных светодиодов, то есть их электролюминесцентного слоя, предложено использовать кислород для обработки этого слоя с использованием иридиум–цинк–оксидных соединений. Ил. 6. Новый брэнд на рынке мощных светодиодов. Паксюткин Андрей. Электрон. компоненты. 2007, Ns 6, с. 59–60 (Рус.)
Приводится краткий обзор продукции фирмы High Power Lighting (Тайвань), занимающейся разработкой и производством только мощных светодиодов. Приведены основные параметры светодиодов мощностью 3 Вт, а также параметры светодиодов серии HPL. Ил. 2, Табл. 5.
